Физический энциклопедический словарь - фотодиод
Фотодиод
Область спектр. чувствительности Ф. определяется полупроводниковым материалом, из к-рого он изготовлен. Широкое распространение получили Ф. из Ge и Si, чувствительные соответственно в диапазонах 0,4—2,0 мкм и 0,4—1,2 мкм; Ф. из InAs, работающий при охлаждении до 233 К, чувствителен в диапазоне 3,0—5,9 мкм. Ф. изготовляют с величиной фоточувствит. площади от долей мм2 до десятков мм2. При необходимости большой эфф. светочувствительной площади в конструкции Ф. используют иммерсионную систему. Порог чувствительности совр. Ф. (величина миним. сигнала, регистрируемого Ф., отнесённая к ед. полосы рабочих частот) достигает 10-14 Вт/Гц1/2; типичное значение интегральной чувствительности 0,5 А/Вт. Постоянная времени (инерционность) Ф. определяется временем перехода неосновных носителей до р—n-перехода и изменяется в пределах 10-10—10-5 с в зависимости от длины волны регистрируемого излучения, конструкции Ф. и схемы его включения. Для регистрации излучения с длинами волн 8—15 мкм разработаны. Ф. на основе тройных соединений типа HgCdTe, обладающие при охлаждении до 77 К порогом чувствительности 10-13 Вт/Гц1/2 и постоянной времени 10-9 с. Лавинные Ф. (счётчики фотонов) основаны на явлении электрич. пробоя р—n-перехода, в результате к-рого из-за ударной ионизации происходит лавинообразное увеличение числа носителей заряда: коэфф. усиления фототока в лавинных Ф. из Ge достигает 3•102 и 104—106 в Ф. из Si; порог чувствительности — до 10-17 Вт/Гц1/2. Ф. применяются также как приёмники инфракрасного излучения.
• Р о с с М., Лазерные приемники, пер.
с англ., М., 1969; Справочник но лазерам,
под ред. А. М. Прохорова, т. 1—2, М., 1978.
Л. Н. Капорский.
См. в других словарях
Вопрос-ответ:
Похожие слова
Самые популярные термины
1 | 1387 | |
2 | 1053 | |
3 | 997 | |
4 | 945 | |
5 | 927 | |
6 | 831 | |
7 | 805 | |
8 | 804 | |
9 | 719 | |
10 | 713 | |
11 | 691 | |
12 | 639 | |
13 | 629 | |
14 | 619 | |
15 | 533 | |
16 | 526 | |
17 | 519 | |
18 | 504 | |
19 | 485 | |
20 | 481 |